Атырау қаласы,Дамбы селосы

Амангелді орта мектебі

Физика пәнінің мұғалімі

Утегалиева Гульшат Каиргалиевна

Тақырыбы; «Жартылай өткізгіштердегі   электр тогы»

                          ( ірі блоктық әдіс)10 кл.

Сабақ түрі: Жаңа материалдарды меңгерту

Сабақ формасы: Ірі блоктық әдіс (тірек конспекті бойынша)

Сабақ әдістері: Лекциялық баяндау, практикалық

Көрнекілігі: 1. Тірек конспектісі

                     2. Диод және транцистор

Мақсаты:

1. Жартылай өткізгіштердің құрылысы мен жұмыс принциптерін таныстыру. Электр тогының p – және n – типті жартылай өткізгіштердің түйісуі арқылы өтуі, жартылай өткізгіштердің қолданылуы мен жұмыс принципі туралы түсінік беру.

2. Оқушыларға практикалық тапсырма беру арқылы қажетті дағды мен біліктілігін қалыптастыру.

3. Оқушыларды электр өткізгіш заттардың табиғатын білуге үйрету.

                                    Сабақтың жүрісі:

1.     Ұйымдастыру кезеңі.

2.     Кіріспе бөлімі: Көптеген заттар кристалл түрінде электр тогын нашар өткізеді, бірақ электрик те бола алмайды. Мұндай заттарды көрнекті физик Абрам Федорович Иофере бастап зерттеді, Кейіннен жартылай өткізгіш (ж.о) деп аталып кеткен бұл заттардың тамаша қасиеті бар болып шықты. Әр типті екі кристалдың контактісі – электр тогын бір жаққа қарай ғана өткізді. Бұл қасиетті радиоэлектроника, автоматика және есептеуіш техниканың дамуына кең жол ашты.

3.     Материалды түсіндіру.

1.     Жартылай өткізгіштерге кремний, германий, селен жатады.

2.     Олардың меншікті кедергісі температурамен кері байланыста:

3.     Ж. о де электр тогын тасымалдаушылар электрондар мен кемтіктер.

Температура жоғарылағанда электрондардың атомдармен байланысы үзіле бастайды да, еркін электрондардың саны көбейеді, ал меншікті кедергісі кемиді.

4.     Байланыс үзілгенде электрондарды жетпейтін бос орындар пайда болады. Оны кемтік деп атайды. Электрондар сол орынға келіп орналасады да, өзінің  орны кемтікке айналады.Ол тек таза жүо де болады.

5.     Ж. о ге қоспа енгізгенде оның өткізгіштігі артады. Кейбір қоспалар ( мысалы, мишьяк AS- валенттік электроны -5) ж.о электрон санын көбейтеді.Оны донорлық қоспа деп атайды. (n – типті) Негізгі заряд тасушылар электрондар

Егер керісінше, кемтіктер көбейсе ( индий In) валенттік электроны -3, акцепторлық қоспа дер атайды р – типті, негізгі заряд тасушылар кемтіктер.

6.     р-және n-типті өткізгіштерді бір – біріне түйістірсе, сол аймақта еркін электрондар  р-n кемтіктер  р – және n- ге  өте бастайды. Ақырында р-тип(-) n-типі (+) болады.

7.     Осы жерде пайда болған электр өрісі әрі қарай алмасуды тежейді де, оны жапқыш қабат деп атайды. Егер  n – типті, ж.о ті + полюске, р – типті ж.о ті – полюске жалғасақ жапқыш қабат үлкейеді, де электр тогы өтпейді. р – n бағыты жапқыш бағыт, ал р – және n- бағыты өткізу  бағыты.

8.     Диод және транзистор (Т. ж бойынша түсіндіріледі) эмиттердегі ток сигналдарын күшейтуге қолданылады.

1.                     Интегралды коэффинцент

2.                                 

4.      Бекіту .(Т.К бойынша қайталау)

1.     Ж.О тер және олардың қасиеттері.

2.     Негізгі заряд тасымалдаушылар

3.     р – n – ауысу қалай орындалады

4.     Ж.О диод және транзистор

5.     Практикалық қолданылуы.

5.Үйге тапсырма: «Микроэлектроника» тақырыбына хабарламалар дайындау.

    Тақырыптар:

1.     Микроэлектроника дегеніміз не?

2.     Интегралды микросхемалар

3.     Микросхемалардың қолданылуы

( Жалпы бұл тақырыпқа жоспар бойынша 3 сағат берілген. Қалған екі сағатты оқушылардың хабарламаларына және практикалық тапсырмаларға пайдалануға болады)